ALD臭氧解决方案

臭氧在多个工业领域中都有广泛的应用，主要得益于其强氧化性和还原能力。臭氧的典型应用包括原子层沉积（ALD）、脉冲激光沉积（PLD）、化学气相沉积（CVD）、光致抗蚀剂带、表面清洗、污染物去除、表面处理和氧化物生长等。

晶片清洁、表面处理、原子层沉积(ALD)、脉冲激光沉积（PLD）、化学气相沉积( CVD)、光刻胶去除。半导体行业中，臭氧同样扮演着重要角色。它用于晶片的清洁，去除制造过程中产生的杂质。在表面处理环节，臭氧能够去除表面残留的有机物，提高晶片的质量和性能。化学气相沉积（CVD）和光刻胶去除过程中也会用到臭氧，以确保沉积的材料纯净无杂质，并且光刻胶能够完全去除，不影响后续步骤。

产品介绍

1）高浓度版：Atlas H30；浓度高、超纯净、风冷，浓度可达22%
2）基础版：3S-T10；ALD臭氧实验，臭氧浓度可达120mg/L
3）洁净板：不接触金属离子，洁净度高，臭氧浓度可达120mg/L
4）臭氧气体检测仪，紫外、双光路，量程0-400mg/L，其他量程可选；
5）臭氧尾气分解器，可分解高浓度臭氧。

高浓度版臭氧发生器：Atlas H30

1.采用高浓度、超纯净、深度精细工艺的臭氧实现技术是该发生器实现的基础。臭氧被电子工业用于形成CVD及ALD薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应用。
2.Atlas H系列发生器能够产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧气体，整体模块化设计，结构紧凑，CLD操作便捷、可视化外观。

特点：

1）臭氧响应速度快，臭氧浓度高，浓度高达300mg/L以上；
2）臭氧输出压力15-35psi，其他范围可选；
3）气体流量0.1-3slm使用，实现工艺应用灵活；
4）风冷型，可选型氮气掺加技术；
5）可集成流量、压力，臭氧检测等各类相关仪表（可选）；

基础版臭氧发生器：3S-T10

3S-T10（10g/H）臭氧发生器采用第八代HYE电晕放电臭氧发生技术，使用钛金纳米石英材料，温度低，浓度高，耐高压，耐潮湿，抗腐蚀性强。产品可以在不同环境条件下稳定工作。

特点：

1）臭氧产量10g/h，臭氧浓度20-120mg/L
2）高校科研单位使用众多
3）臭氧浓度稳定，浓度无级可调。

洁净版臭氧发生器：Longevity M5

1.长寿的“全数字”NEOS™ 技术和高纯度石英玻璃电极提供了壮观（和经过验证）的纯度、精度、质量和可靠性。

特点：

1）双石英结构，气流不与金属离子接触，洁净度高；
2）设备臭氧量10档可调，浓度精度、稳定；
3）可调80种浓度范围从0.5- 120mg/L；
4）风冷型、体积小；

臭氧气体检测仪

臭氧气体浓度检测仪采用紫外分光吸收原理，依据朗伯—比尔定律，通过测量臭氧对紫外光吸收前后的光信号强度变化，由此计算出当前臭氧浓度值。

特点：

1）臭氧气体浓度检测仪主要应用于测半导体行业、水处理和臭氧研究等过程中产生的气态臭氧浓度，测量范围0-400mg/L。
2）臭氧气体浓度检测仪测量范围0-400mg/L，其他量程可选；
3）数据显示稳定无干扰，实时检测臭氧浓度。；
4）自动校零，消除零点漂移

臭氧发生器案例