产品简介

专业面向半导体工艺的高纯臭氧氧化源

ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）技术对氧化剂的纯度、浓度稳定性以及供应重复性具有较高要求。臭氧（O₃）具有较强的氧化能力，可作为 ALD 工艺中的氧化源，用于氧化物薄膜沉积及表面氧化处理。

同林 ALD 高纯臭氧发生器采用高纯氧气作为原料，通过专用臭氧发生模块产生稳定臭氧输出，并结合臭氧浓度控制、检测及尾气处理模块，为半导体材料研发和薄膜制备提供完整的臭氧供应方案。

产品特点

面向半导体工艺的专业臭氧发生系统

1. 面向半导体工艺设计不同于普通工业臭氧发生器，ALD 工艺更加关注臭氧浓度稳定性、输出重复性、小流量控制能力、系统兼容性与长时间运行可靠性。
   同林半导体臭氧系统针对科研及工艺开发需求设计，可满足实验室及设备集成应用。

2. 臭氧浓度稳定可调根据不同薄膜材料及工艺需求，可配置不同的臭氧浓度输出，支持低浓度臭氧供应、高浓度臭氧氧化及连续稳定输出。
   臭氧浓度可通过发生功率调节、氧气流量调节及外部控制系统进行优化。

3. 支持设备集成控制可根据 ALD 设备的自动化需求提供 RS485 通讯、Modbus 协议、4-20mA 控制、PLC 联动控制。
   方便与 ALD 控制系统、MFC 流量系统、真空系统进行集成。

4. 臭氧兼容气路设计臭氧具有强氧化性，设备气路采用耐臭氧材料，降低臭氧传输过程中的材料腐蚀和污染风险。
   可选材料：PTFE、PFA、316L 不锈钢，满足不同工艺场景需求。

选型指南

不同应用对于臭氧参数的要求不同

应用领域

广泛应用于半导体及材料研发领域

系统组成方案

完整的 ALD 臭氧供应系统包含四大模块

1. 高纯臭氧发生器提供稳定的臭氧氧化源

2. 臭氧浓度检测系统实时监测臭氧浓度与输出稳定性

3. 气体流量控制模块MFC 精确流量控制，保障工艺重复运行

4. 臭氧尾气处理系统处理残余臭氧，保护实验环境

同林 ALD 臭氧解决方案

针对不同客户需求提供定制化方案

推荐配置

三种标准配置方案，满足不同场景需求

常见问题

关于 ALD 臭氧系统的常见疑问解答

• ALD 为什么使用臭氧作为氧化剂？

• 臭氧具有较高的氧化活性，可以在较低温度条件下促进前驱体氧化，因此被用于部分氧化物薄膜制备工艺。

• ALD 臭氧浓度一般是多少？

• 实际需求取决于薄膜材料、前驱体类型、沉积温度和工艺参数。设备出口臭氧浓度与 ALD 腔体实际浓度存在差异，需要结合系统条件进行优化。

• 臭氧发生器可以直接连接 ALD 设备吗？

• 可以。需要根据 ALD 设备的接口、气体流量、压力条件与控制方式进行匹配设计。

• 为什么需要臭氧检测？

• 臭氧浓度直接影响氧化效果和实验重复性。配置臭氧检测系统，可以实时确认臭氧输出状态。

• 臭氧系统需要尾气处理吗？

• 需要。未反应的臭氧需要经过尾气处理后排放，以保证实验安全。