专业面向半导体工艺的高纯臭氧氧化源
ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积)技术对氧化剂的纯度、浓度稳定性以及供应重复性具有较高要求。臭氧(O3)具有较强氧化能力,可作为ALD工艺中的氧化源,用于氧化物薄膜沉积及表面氧化处理。
同林ALD高纯臭氧发生器采用高纯氧气作为原料,通过专用臭氧发生模块产生稳定臭氧输出,并结合臭氧浓度控制、检测及尾气处理模块,为半导体材料研发和薄膜制备提供完整臭氧供应方案。
面向半导体工艺的专业臭氧发生系统
不同应用对于臭氧参数要求不同
广泛应用于半导体及材料研发领域
完整ALD臭氧供应系统四大模块
针对不同客户需求提供定制化方案
三种标准配置方案,满足不同场景需求
关于ALD臭氧系统的常见疑问解答
技术参数
臭氧产量:15-200 g/hr(取决于配置)
工作压力:20-80psi(取决于配置)
臭氧浓度:30g - 0.5L/min@300mg/L高达 20 wt%
冷却:风冷
检测系统,过程臭氧检测(0-400mg/L)
气源:氧气
气体流速:0.1-20SLM(取决于配置)
工作温度0-40℃
控制界面:触屏操作,4-20mA远程控制
重量:50kg
电源:220V 50/60HZ
功率:380W
接头:1/4 VCR接头
臭氧发生器产量规格
定制:10g/h、30g/h、60g/h、80g/h、100g/h、200g/h
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北京同林科技有限公司是一家是提供高纯高浓度臭氧发生器系统服务商,目前产品包括半导体用高浓度臭氧发生器、臭氧气体分析仪、溶解臭氧分析仪、臭氧水机、半导体用管道和接头等。 已经应用于众多半导体企... 您有什么问题或要求吗?
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