CVD（化学气相沉积）工艺中臭氧的用途CVD（化学气相沉积）臭氧工艺是一种利用臭氧（O₃）作为反应气体的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光学涂层等领域。CVD（...

ALD（原子层沉积）臭氧工艺是一种在材料科学领域具有重要应用价值的技术。它利用臭氧（O₃）作为前驱体或氧化剂，通过原子层沉积的方法制备各种高性能的薄膜材料。以下...

臭氧发生器在晶圆清洗中扮演着重要角色，主要用于去除晶圆表面的有机污染物、光刻胶残留和金属杂质。以下是其用途、原理、连接方法、浓度控制、优点及相关文献摘要的详细说...

氧化层生长中臭氧相较其他氧化剂的优势在氧化层生长中，臭氧相较其他氧化剂具有以下优势：氧化能力强：臭氧是自然界最强的氧化剂之一，在水中氧化还原电位仅次于氟而居第二...

臭氧发生器在原子层沉积（ALD）过程中如何控制臭氧的浓度和流量？在原子层沉积过程中，精准控制臭氧的浓度和流量对于确保薄膜沉积质量和工艺稳定性至关重要，以下是臭氧...

臭氧发生器在原子层沉积（ALD）中的具体作用原子层沉积（ALD）是一种基于表面自限制反应的薄膜沉积技术，能够在纳米尺度上精确控制薄膜的厚度、成分和均匀性，在半...

臭氧基间歇原子层沉积 Al2O3用于有效的表面钝化研究在本文中，我们比较了水和臭氧作为氧化剂在Al2O3 ALD反应中的表面钝化质量。实验表明，即使在沉积薄膜中...

臭氧浓度对砷化镓原子层沉积HfO2的影响系统研究了臭氧（O3）浓度（90,300 g/Nm3）对以四（二甲氨基）铪（TDMAHf）为Hf前驱体的GaAs晶圆上H...

泛半导体中的原子层沉积 （ALD）的应用泛半导体器件，包括光伏和显示器，分别是基于电子空穴对的产生或重组。不同层之间的界面会极大地影响载流子输运，从而影响泛半导...

使用臭氧水可去除的物质以及所需臭氧的浓度利用臭氧的强氧化能力，可以实现分解并去除大量的杂质。根据杂质的形状与数量的不同，所需浓度也将有所变化，请参考下图数据。此...

领域背景：β-Ga2O3作为超宽带隙（UWBG）半导体材料中极具代表性的材料，具有大面积单晶片的可用性、对可见光的高透明度以及出色的稳定性，是制备日盲探测器的天...

化学气相沉积和薄膜形成 化学气相沉积过程可以定义为：通过气相吸附前体的表面介导反应在基材上形成薄固体膜的任何过程。 CVD工艺的反应...

ALD过程中的步骤原子层沉积类似于LPCVD，除了化学过程被分解成步骤，隔离不同的吸附和反应步骤，以进行自限制反应。该工艺采用前体和反应物的单独脉冲依次通过工艺...

温度对臭氧微泡降解光刻胶聚合物的影响利用臭氧微泡清洁技术研究了温度对光刻胶聚合物降解的影响。随着温度的升高，臭氧气体的溶解度降低，促进了臭氧在水中的自分解，使臭...

PLD技术中臭氧如何影响薄膜的生长速率和晶体质量？在脉冲激光沉积（PLD）技术中，臭氧的使用可以显著影响薄膜的生长速率和晶体质量。臭氧通常用作反应气体，以促进特...

MKS提供各种臭氧发生器和模块化输送系统，可产生超纯，可靠的臭氧气体。在清洁的半导体环境中，臭氧与各种前体气体发生反应，产生Al2O3，ZrO2，HfO2和La2O3金属氧化物，以实现薄膜沉积工艺，如原子层沉积（ALD）和蚀刻（ALE）。MKS 的发生器使用 6 级气体，能够产生更高的薄膜密度，从而提高产品产量。光伏和......

半导体蚀刻选择性地从基板上的薄膜中去除材料，以在基板上创建该材料的图案，这是半导体器件制造工艺的关键部分，其中高度选择性的蚀刻可确保半导体芯片的质量和产量。MKS用于增强半导体刻蚀加工的解决方案包括真空，压力和流量测量与控制，等离子体和发电，臭氧输送和过程自动化。...

通过对现行检修检测体制方法优缺点对比，分析了开拓应用变压器类电力设备状态监测和故障诊断技术的意义，研究了现在变压器检测与故障诊断技术，并对该技术现今发展存在的问题和发展前景进行了介绍。　　引言　　随着电力负荷逐渐增大，电力系统稳定性要求日益增高，变压器类电气设备的状态监测和故障诊断技术日益受到普遍关注，越来越多的研究、......

　国网襄阳供电公司的研究人员凡红涛、张勇刚，在2016年第2期《电气技术》杂志上撰文指出，220kV智能化变电站中，220kV断路器一般配置双重化的智能终端，相当于两套独立的操作箱。　　与常规综自站带双跳功能单操作箱相比，其防跳回路实现方式不同。本文在对常规操作箱防跳回路分析的基础上，提出了双重化智能终端防跳回路实现的......