北京某半导体企业用于ALD
臭氧在ALD工艺中发挥着不可替代的作用,其强氧化能力、低温反应特性和精确控制能力,使其成为生成高质量氧化物薄膜的理想选择。在使用过程中,必须严格控制臭氧的浓度和操作安全,以确保工艺的成功和人员的安全。
通过了解和应用臭氧在ALD中的关键作用和注意事项,科研人员和工程师可以更好地优化薄膜沉积过程,提高半导体和微电子器件的性能和可靠性。
ATLAS H30高浓度臭氧发生器(16%wt)
高浓度板式臭氧发生器(MBE、半导体、科研用)
M10半导体PLD用臭氧发生器
NANO15 ALD用臭氧发生器
A10(10g/h) ALD专用臭氧发生器
EXT-10高纯净臭氧发生器 (无金属污染及析出)
ALD用液化超纯臭氧发生器(日本meiden)
某科学院臭氧发生器用于PLD
某科学院用于原子层沉积(ALD)领域
高浓度臭氧用于增强分子束外延(MBE)
某高校高量程臭氧水检测仪现场
某ALD企业臭氧设备调试现场
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