高浓度臭氧用于增强分子束外延（MBE）

某科研单位使用Atals H30高浓度臭氧发生器用于分子束延长研究，搭配3S-J5000臭氧检测仪实时检测臭氧浓度。

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利用臭氧增强分子束外延（MBE）技术实现β-Ga2O3的同外延生长。首先，为了揭示β-Ga2O3同外延MBE生长的合适表面取向，我们研究了生长速率和表面形貌对表面取向的依赖。结果表明，（010）平面是最适合生长的平面。接下来，我们优化了在（010）平面上生长薄膜的生长条件。在无意掺杂薄膜的情况下，我们发现通过优化Ga和O的表面迁移可以获得光滑的表面薄膜。另一方面，在掺杂锡的薄膜中，锡的偏析导致表面粗糙化。高富氧条件有利于获得光滑的表面，因为它减少了锡的偏析。通过以这种方式优化生长条件，可以在宽范围（1016-1018 cm−3）和原子平面上制造出具有精确可控供体浓度的器件质量β-Ga2O3同外延薄膜。